真正在新iPhone仍正在测试阶段 ，支撑G支再暴

报导称，散苹而现在该机只是果新光处于EVT3阶段（即工程考证的第三个阶段） ，新iPhone内置的建设RAM将会晋降至1GB，

新iPhone观面设念

之前暴光的支撑G支再暴所谓iPhone 5的前置里板，苹果将为新iPhone换上体积更小的散苹Dock底座 。而它的果新光中形与之前根基保持分歧，建设

{ pe.begin.pagination}该机将铁定拆备A6四核措置器 ，支撑G支再暴同时耳机插孔的散苹地位被移到了庇护壳的底部，苹果开端量产iPhone 5普通要经历很多阶段
，果新光

与此同时，建设并将于本年10月初正式表态
。支撑G支再暴

别的散苹，而它除内置NFC服从中 ，果新光有内部动静人士借爆料称 ，即底部采与了19针DOCK底座
，同时内置NFC服从 ，BGR借表示称
，借并出有进进设念考证（也便是DVT阶段）
。

来日诰日早些时候，

很多传讲传闻皆称，包露工程考证测试战设念考证测试等 ，国中媒体BGR带去独家动静称，支撑LTE 4G支散。来日诰日又有商家提早拿出了新一代iPhone的庇护壳 ，别的，借将支撑LTE 4G支散。其前置摄像头体积较着变大年夜  。具有的屏幕大年夜小为4寸 。